Pi gwo kantite lajan pou gaz espesyal elektwonik - nitwojèn trifluoride NF3

Endistri semi -conducteurs peyi nou an ak endistri panèl kenbe yon wo nivo de pwosperite. Azòt trifluoride, kòm yon endispansab ak pi gwo-volim gaz espesyal elektwonik nan pwodiksyon an ak pwosesis nan panno ak semi-kondiktè, gen yon espas mache gwo.

Souvan itilize fliyò ki gen gaz espesyal elektwonik gen ladan yosouf hexafluoride (SF6), tengstèn hexafluoride (WF6),Kabòn tetrafluoride (CF4), trifluoromethane (CHF3), trifluoride nitwojèn (NF3), hexafluoroethane (C2F6) ak octafluoropropane (C3F8). Azòt trifluoride (NF3) se sitou itilize kòm yon sous fliyò pou idwojèn fliyò-fliyò gaz segondè-enèji lazer chimik. Pati a efikas (apeprè 25%) nan enèji nan reyaksyon ant H2-O2 ak F2 ka libere pa radyasyon lazè, se konsa HF-nan lazer yo lazer yo ki pi prometteur nan mitan lazer chimik.

Azòt trifluoride se yon ekselan plasma grave gaz nan endistri a mikroelectronics. Pou grave Silisyòm ak Silisyòm nitrid, trifluoride nitwojèn gen yon pousantaj pi wo grave ak selectivite pase tetrafluoride kabòn ak yon melanj de tetrafluorid kabòn ak oksijèn, epi pa gen okenn polisyon nan sifas la. Espesyalman nan grave nan materyèl sikwi entegre ak yon epesè nan mwens pase 1.5um, trifluoride nitwojèn gen yon pousantaj trè ekselan grave ak selectivite, pa kite okenn rezidi sou sifas la nan objè a grave, epi li se tou yon ajan netwayaj trè bon. Avèk devlopman nan nanoteknoloji ak devlopman nan gwo-echèl nan endistri a elektwonik, demann li yo ap ogmante jou pa jou.

Kòm yon kalite fliyò ki gen gaz espesyal, trifluoride nitwojèn (NF3) se pi gwo pwodwi elektwonik gaz espesyal nan mache a. Li se chimikman inaktif nan tanperati chanm, pi aktif pase oksijèn, pi estab pase fliyò, ak fasil okipe nan tanperati ki wo.

Se nitwojèn trifluoride sitou itilize kòm plasma grave gaz ak reyaksyon chanm netwayaj ajan, apwopriye pou fabrikasyon jaden tankou bato semi -conducteurs, plat panèl montre, fib optik, selil fotovoltaik, elatriye.

Compared with other fluorine-containing electronic gases, nitrogen trifluoride has the advantages of fast reaction and high efficiency, especially in the etching of silicon-containing materials such as silicon nitride, it has a high etching rate and selectivity, leaving no residue on the surface of the etched object, and is also a very good cleaning agent, and it is non-polluting to the surface and can meet Bezwen pwosesis pwosesis la.